Суета вокруг 5нм (окончание)

В Китае количество патентных заявок на изобретение в сфере производства чипов (ультра-СБИС) и оборудования для их изготовления выросло с 32 840 в 2022–23 году (начиная с июля 2022 года) до 46 591 в 2023–24 году (начиная с июля 2023 года). Это стало ответом на усилившийся экспортный контроль США (резкое ограничение поставок в Китай новейших чипов и оборудования для их производства). Параллельно, количество таких заявок во всем мире выросло на 22%, с 66 416 до 80 892. Таким образом, доля Китая в таких заявках превысила 50%. Еще раз, экспортный контроль Вашингтона повлек ответные меры Китая. Любопытно, что число таких заявок в США выросло на 9%, до 21 269, и оказалось вдвое меньше, чем в Китае. Китай ускорил НИОКР в сфере чипов и оборудования для их изготовления с целью обойти санкции Вашингтона. Хотя Китай все еще существенно отстает от передового Западного уровня.

Несколько дней назад разработчик чипов фирма Loongson (в Тяньцзине) объявила о создании процессора 3В6600 уровня 7нм для компьютера типа desktop. Американские фирмы AMD и Intel (знаменитые разработчики и производители чипов, включая процессоры) создали чипы сходного уровня (с использованием уровня 7нм) пять лет назад. Весной 2024 года фирма Huawei запустила в производство смартфон Pura 70, использующий процессор (СРU) Kirin 9010, который был создан и выпускается шанхайской фирмой SMIC. (Смотрите мою предыдущую статью.) Здесь также используется уровень 7нм.

Да, Китай, используя "чужие" литографические машины (ЛМ), главным образом от нидерландской фирмы ASML, сумел к середине 2024 года сократить отставание от передового уровня американских, японских, южнокорейских электронных фирм в сфере нанотехнологии примерно до пяти лет. Но ведь в октябре 2022 года Вашингтон ввел "драконовские меры" для ограничения (прекращения) поставок в Китай передовых чипов и оборудования для их разработки и изготовления. В 2023 году и в первой половине 2024 года Вашингтон ужесточил эти меры. В ответ Китай ускорил разработку собственных ЛМ высокого уровня.

South China Morning Post сообщает, что Китай создал две новых ЛМ, включенных в список новейших передовых разработок Министерства Промышленности и Информационных Технологий Китая. Одна из них использует криптон-фторидный (KrF) лазер с длиной волны 248нм, который обеспечивает "точность совмещения" (overlay accuracy) в 25нм и меньше, и разрешающую способность (resolution) в 110нм при (крупносерийной) обработке 12-дюймовых кремниевых подложек. Вторая ЛМ использует аргон-фторидный (АrF) лазер c длиной волны 193нм, который обеспечивает "точность совмещения" в 8нм и меньше, и разрешающую способность в 65нм при (крупносерийной) обработке 12-дюймовых кремниевых подложек.

Даже вторая, более совершенная ЛМ, уступает новейшим ЛМ фирмы ASML, обеспечивающим серийное изготовление чипов уровня 3нм, которые используются сейчас тайваньской фирмой TSMC. Эта ЛМ с длиной волны 13,5нм имеет "точность совмещения" в 1,3нм и разрешающую способность в 38нм. В разработке обеих моделей участвовала шанхайская фирма SMEE (Shannghai Micro-Electronics Equipment) и десятки других предприятий и академических институтов.

Вынужден просить у читателей извинения за обилие технических терминов. Но по-другому не получается. Разумеется, читателей интересует, какие чипы можно изготовлять с помощью двух новых китайских ЛМ.

Для начала скажу, что новейшие ЛМ нидерландской ASML относятся к классу EUV (Extreme Ultra Violet), а новые китайские ЛМ — к классу DUV (Deep Ultra Violet), что означает отставание от ASML и тайваньской TSMC на 5–7 лет.

Чтобы получить более точную информацию, я просмотрел десятки сообщений на данную тему пекинского технологического сайта ChengYue и тайбэйского технологического сайта.

В итоге выяснилось, что вторая, более совершенная китайская ЛМ способна выпускать чипы уровня 12–14нм. Если же использовать дополнительное наложение (процесс N+1) и двукратное повторное наложение (процесс N+2), то в принципе можно выпускать чипы уровня 5нм с неплохим выходом годных пластин. Повторяю, не на импортных, а на китайских ЛМ!

И каждое сообщение из Пекина или Тайбэя очень критически оценивало деятельность Администрации Байдена и Конгресса США по блокированию развития китайского нанотехнологического сектора, вплоть до "Вашингтонские запреты только усиливают Китай в высоких технологиях!".

Теперь мое мнение.

Во-первых, я считаю, что развитие китайского нанотехнологического сектора не остановят никакие вашингтонские санкции. Накопленный интеллектуальный потенциал и технологический потенциал Китая достаточно велики.

Во-вторых, если бы Вашингтон тратил на борьбу с путинским режимом хотя бы половину энергии, которую он тратит на борьбу с Китаем, то от путинского режима остались бы рожки да ножки. Вот это самое главное.